APT11N80BC3G Microchip Technology | Prodotti a semiconduttore discreti

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APT11N80BC3G
Codice DigiKey	APT11N80BC3G-ND
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	APT11N80BC3G
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 11 A (Tc) 156W (Tc) Foro passante TO-247 [B]
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Microchip Technology
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	450mohm a 7,1A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,9V a 680µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1585 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	156W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247 [B]
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	APT11N80

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