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NTTFS012N10MD | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-NTTFS012N10MDTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NTTFS012N10MD |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 9,2A (Ta), 45A (Tc) 2,7W (Ta), 62W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14,4mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 78µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 965 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,7W (Ta), 62W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Manufacturer Quote Required
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