Name: LND150N3-G-P003
Brand: Microchip Technology
SKU: LND150N3-G-P003TR-ND
Price: 0.57293 CHF
Availability: InStock

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LND150N3-G-P003
Codice DigiKey	LND150N3-G-P003TR-ND - Nastrato in bobina (TR) LND150N3-G-P003CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	LND150N3-G-P003
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	LND150N3-G-P003 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1000ohm a 500µA, 0V
Produttore Microchip Technology	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 740mW (Ta)
Tipo FET Canale N, modalità depletion	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Contenitore del fornitore TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30mA (Tj)	Contenitore/involucro TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V	Codice componente base LND150