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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : $ 0.44765
Scheda tecnica
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M1.5KE82AE3/TR

Codice DigiKey
150-M1.5KE82AE3/TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
M1.5KE82AE3/TR
Descrizione
TVS DIODE 70.1VWM 113VC CASE-1
Tempi di consegna standard del produttore
49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
113V Fascetta 13,3A Ipp TVS - Diodi Foro passante CASE-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo
Zener
Canali unidirezionali
1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)
70,1V
Tensione - Rottura (min)
77,9V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp
113V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)
13,3A
Potenza - Impulso di picco
1500W (1,5kW)
Protezione linea di alimentazione
No
Applicazioni
Uso generale
Capacità a frequenza
-
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Militare
Qualifica
MIL-PRF-19500
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
DO-201AA, DO-27, Assiale
Contenitore del fornitore
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in USD
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
300$ 3.17000$ 951.00
Prezzo unitario IVA esclusa:$ 3.17000
Prezzo unitario IVA inclusa:$ 3.42677