Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 9.56685 CHF
Availability: InStock

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MSC080SMA120SDT/R
Codice DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	MSC080SMA120SDT/R
Descrizione	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 35 A (Tc) 182W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 15A, 20V
Produttore Microchip Technology	Vgs(th) max a Id 2,8V a 1mA
Serie MSiC™ MA	Carica del gate (Qg) max a Vgs 64 nC @ 20 V
Confezionamento Sfuso	Vgs (max) +23V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 838 pF @ 1000 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 182W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 9.56685

MSC080SMA120SDT/R