Canale N 40 V 700mA (Tj) 740mW (Ta) Foro passante TO-92-3
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TN0604N3-G-P005

Codice DigiKey
TN0604N3-G-P005-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Microchip Technology
Codice produttore
TN0604N3-G-P005
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore
7 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 700mA (Tj) 740mW (Ta) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TN0604N3-G-P005 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Microchip Technology
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
700mA (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
750mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
1,6V a 1mA
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
190 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
740mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-92-3
Contenitore/involucro
TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)
Codice componente base
TN0604
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 0.89604Fr. 1’792.08
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.96862