Canale P 60 V 320mA (Tj) 1W (Tc) Foro passante TO-92-3
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TP0606N3-G-P002

Codice DigiKey
TP0606N3-G-P002-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
TP0606N3-G-P002
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore
4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 320mA (Tj) 1W (Tc) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TP0606N3-G-P002 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,4V a 1mA
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
150 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
1W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Contenitore del fornitore
TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
3,5ohm a 750mA, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 0.70890Fr. 1’417.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.70890
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.76632