Name: TP2522N8-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TP2522N8-G-ND
Price: 1.20207 CHF
Availability: OutOfStock

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TP2522N8-G
Codice DigiKey	TP2522N8-G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	TP2522N8-G
Descrizione	MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA
Tempi di consegna standard del produttore	11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 220 V 260mA (Tj) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale TO-243AA (SOT-89)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TP2522N8-G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Microchip Technology
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	220 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	260mA (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	12ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 1mA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	125 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-243AA (SOT-89)
Contenitore/involucro	TO-243AA
Codice componente base	TP2522

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Nastrato in bobina (TR)