Name: VN10KN3-G-P003
Brand: Microchip Technology
SKU: VN10KN3-G-P003-ND
Price: 0.45473 CHF
Availability: OutOfStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

VN10KN3-G-P003
Codice DigiKey	VN10KN3-G-P003-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	VN10KN3-G-P003
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	VN10KN3-G-P003 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Microchip Technology	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 60 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 310mA (Tj)	Contenitore/involucro Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base VN10KN3
RDSon (max) a Id, Vgs 5ohm a 500mA, 10V