Name: VN2110K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: VN2110K1-GTR-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

VN2110K1-G
Codice DigiKey	VN2110K1-GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) VN2110K1-GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) VN2110K1-GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	VN2110K1-G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200mA (Tj) 360mW (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	VN2110K1-G Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 1mA
Produttore Microchip Technology	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 50 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200mA (Tj)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base VN2110
RDSon (max) a Id, Vgs 4ohm a 500mA, 10V