MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. | Circuiti integrati (CI)

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MT47R512M4EB-25E:C
Codice DigiKey	MT47R512M4EB-25E:C-ND
Produttore	Micron Technology Inc.
Codice produttore	MT47R512M4EB-25E:C
Descrizione	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	SDRAM - DDR2 Memoria IC 2Gbit Parallelo 400 MHz 400 ps 60-FBGA (9x11,5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MT47R512M4EB-25E:C Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Produttore	Micron Technology Inc.
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Programmabile da DigiKey	Non verificato
Tipo di memoria	Volatile
Formato memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - DDR2
Dimensioni memoria	2Gbit
Organizzazione della memoria	512M x 4
Interfaccia di memoria	Parallelo
Frequenza di clock	400 MHz
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina	15ns
Tempo di accesso	400 ps
Tensione - Alimentazione	1,55 ~ 1,9V
Temperatura di funzionamento	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	60-TFBGA
Contenitore del fornitore	60-FBGA (9x11,5)
Codice componente base	MT47R512M4

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Fuori produzione

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Vassoio

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 28.20000	Fr. 28’200.00

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