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MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | 557-MT53E512M32D1ZW-046AUT:BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR |
Descrizione | IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA |
Tempi di consegna standard del produttore | 6 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | SDRAM - LPDDR4X mobile Memoria IC 16Gbit Parallelo 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA (10x14,5) |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Programmabile da DigiKey | Non verificato | |
Tipo di memoria | Volatile | |
Formato memoria | ||
Tecnologia | SDRAM - LPDDR4X mobile | |
Dimensioni memoria | ||
Organizzazione della memoria | 512M x 32 | |
Interfaccia di memoria | Parallelo | |
Frequenza di clock | 2.133 GHz | |
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina | 18ns | |
Tempo di accesso | 3.5 ns | |
Tensione - Alimentazione | 1,06 ~ 1,17V | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 125°C (TC) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q100 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | ||
Contenitore del fornitore | 200-TFBGA (10x14,5) | |
Codice componente base |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 34.71115 | Fr. 69’422.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 34.71115 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 37.52275 |
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