Canale N 650 V 48 A (Tc) 185W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
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Canale N 650 V 48 A (Tc) 185W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
8 PowerSFN

G3F60MT06L-TR

Codice DigiKey
1913-G3F60MT06L-TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
1913-G3F60MT06L-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1913-G3F60MT06L-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore
G3F60MT06L-TR
Descrizione
650V 55M TO-LL G3F SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 48 A (Tc) 185W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Navitas Semiconductor, Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
48 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
75mohm a 15A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,3V a 7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
45 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1322 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
185W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TOLL
Contenitore/involucro
8-PowerSFN
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In magazzino: 1’947
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 6.94000Fr. 6.94
10Fr. 4.73600Fr. 47.36
100Fr. 3.73320Fr. 373.32
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’200Fr. 3.05000Fr. 3’660.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 6.94000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 7.50214
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