Name: NV6026C
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6026CTR-ND
Price: 4.24833 CHF
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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NV6026C
Codice DigiKey	1913-NV6026CTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1913-NV6026CCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1913-NV6026CDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore	NV6026C
Descrizione	GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 11 A (Tc) A montaggio superficiale 8-PDFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 210mohm a 4A, 6V
Produttore Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) max a Id 2,6V a 7mA
Serie GaNFast™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.4 nC @ 6 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 74 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 900 V	Contenitore del fornitore 8-PDFN (8x8)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-VDFN piazzola esposta
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 2.16573	Fr. 6’497.19

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.93000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.24833

NV6026C