Name: 2N7002HR
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-2N7002HRTR-ND
Price: 0.16215 CHF
Availability: InStock

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2N7002HR
Codice DigiKey	1727-2N7002HRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2N7002HRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2N7002HRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	2N7002HR
Descrizione	2N7002H/SOT23/TO-236AB
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 300mA (Tc) 830mW (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs (max) ±20V
Produttore Nexperia USA Inc.	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 50 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 830mW (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300mA (Tc)	Contenitore del fornitore TO-236AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 5ohm a 500mA, 10V	Codice componente base 2N7002
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSS670AHZGT116	Rohm Semiconductor	2’790	846-BSS670AHZGT116CT-ND	Fr. 0.47000	Simile
TSM2N7002AKCX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	3’414	1801-TSM2N7002AKCXRFGCT-ND	Fr. 0.17000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.16215

2N7002HR