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Equivalente parametrico

BC856,215
Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.12000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BC856-QR
Nexperia USA Inc.
In magazzino: 2’860
Prezzo unitario : Fr. 0.11000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BC856A,215
Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.13000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BC856A-QR
Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

Diretto

SBC856BLT1G
onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.15000
Scheda tecnica

Simile

BC856BLT1G
onsemi
In magazzino: 1’732
Prezzo unitario : Fr. 0.10000
Scheda tecnica

Simile

BC856BM3T5G
onsemi
In magazzino: 33’519
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BC856A
Diotec Semiconductor
In magazzino: 2’620
Prezzo unitario : Fr. 0.09000
Scheda tecnica
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TL431BFDT-QR
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BC856B/DG/B4R

Codice DigiKey
BC856B/DG/B4R-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Nexperia USA Inc.
Codice produttore
BC856B/DG/B4R
Descrizione
TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 65 V 100 mA 100MHz 250 mW A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Nexperia USA Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
65 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
650mV a 5mA, 100mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
15 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
125 a 2mA, 5V
Potenza - Max
250 mW
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore
TO-236AB
Codice componente base
BC856
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