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Nexperia USA Inc.
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Equivalente parametrico


Nexperia USA Inc.
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Diretto


onsemi
In magazzino: 13’089
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Simile


Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 8’990
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Scheda tecnica

Simile


Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 8’990
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

Simile


Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 9’000
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

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Diotec Semiconductor
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Scheda tecnica
TL431BFDT-QR
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BC858B-QR

Codice DigiKey
1727-BC858B-QR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BC858B-QR
Descrizione
TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di transistor
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
30 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
650mV a 5mA, 100mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
15 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
220 a 2mA, 5V
Potenza - Max
250 mW
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore
TO-236AB
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
69’000Fr. 0.01306Fr. 901.14
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.01306
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.01412