BUK6C2R1-55C,118 Nexperia USA Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

BUK6C2R1-55C,118 è obsoleto e non è più in produzione.

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BUK6C2R1-55C,118
Codice DigiKey	1727-7126-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	BUK6C2R1-55C,118
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 228 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	228 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,3mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,8V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	253 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	16000 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)