GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : Fr. 13.91000

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GAN063-650WSAQ
Codice DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	GAN063-650WSAQ
Descrizione	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 34,5 A (Tc) 143W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	GAN063-650WSAQ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	34,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	60mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1000 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	143W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-3
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	GAN063