PEMD4-QX
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NX1029XH

Codice DigiKey
NX1029XH-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
NX1029XH
Descrizione
MOSFET N/P-CH 50V 0.33A SOT666
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 50V 330mA (Ta), 170mA (Ta) 330mW (Ta), 1,09W (Tc) A montaggio superficiale SOT-666
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Nexperia USA Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Complementare canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
50V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
330mA (Ta), 170mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
1,6ohm a 500mA, 10V, 7,5ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) max a Id
2,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,6nC a 4,5V, 0,35nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
50pF a 10V, 36pF a 25V
Potenza - Max
330mW (Ta), 1,09W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore
SOT-666
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4’000Fr. 0.08750Fr. 350.00
8’000Fr. 0.07948Fr. 635.84
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Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.09459