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PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.
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Equivalente parametrico

PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.
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PDTC114ET-QR
Nexperia USA Inc.
In magazzino: 212
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PDTC114ET-QVL
Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
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Equivalente parametrico

PDTC114ET/DG/B4,21
Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
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Diretto

MMUN2213LT1G
onsemi
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Scheda tecnica
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TL431BFDT-QR
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PDTC144ET/DG/B4,21

Codice DigiKey
PDTC144ET/DG/B4,21-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Nexperia USA Inc.
Codice produttore
PDTC144ET/DG/B4,21
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Nexperia USA Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di transistor
NPN - pre-polarizzato
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50 V
Resistori inclusi
R1 e R2
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
30 a 5mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
150mV a 500µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
230 MHz
Potenza - Max
250 mW
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore
TO-236AB
Codice componente base
PDTC144
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