PMEG200G10ELR-QX Nexperia USA Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : Fr. 0.48000

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PMEG200G10ELR-QX
Codice DigiKey	1727-PMEG200G10ELR-QXTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PMEG200G10ELR-QXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PMEG200G10ELR-QXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMEG200G10ELR-QX
Descrizione	DIODE SIGE 200V 1A SOD123W
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 200 V 1A A montaggio superficiale SOD-123W
Modelli EDA/CAD	PMEG200G10ELR-QX Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	SiGe (silicio germanio)
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	200 V
Corrente - Media rettificata (Io)	1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	880 mV @ 1 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	34 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	30 nA @ 200 V
Capacità a Vr, F	29pF a 1V, 1MHz
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOD-123W
Contenitore del fornitore	SOD-123W
Temp. di funzionamento - Giunzione	175°C