PMH850UPEH Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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PMH850UPEH
Codice DigiKey	1727-PMH850UPEHTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PMH850UPEHCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PMH850UPEHDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMH850UPEH
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 600mA (Ta) 660mW (Ta), 2,23W (Tc) A montaggio superficiale DFN0606-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMH850UPEH Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 62.2 pF @ 15 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta), 2,23W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore DFN0606-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 600mA (Ta)	Contenitore/involucro 3-XFDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Codice componente base PMH850
RDSon (max) a Id, Vgs 1ohm a 500mA, 4,5V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.25000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.27025

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