Name: PMPB10XNEAX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMPB10XNEAX-ND
Price: 0.1799 CHF
Availability: OutOfStock

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PMPB10XNE,115

Nexperia USA Inc.

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PMPB10XNEAX
Codice DigiKey	PMPB10XNEAX-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMPB10XNEAX
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 9 A (Ta) 1,7W (Ta), 12,5W (Tc) A montaggio superficiale DFN2020MD-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	14mohm a 9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	34 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2175 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN2020MD-6
Contenitore/involucro	6-UDFN piazzola esposta
Codice componente base	PMPB10

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Nastrato in bobina (TR)