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PMV35EPER | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-2729-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2729-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2729-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | PMV35EPER |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 5,3 A (Ta) 480mW (Ta), 1,2W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 19.2 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 793 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 480mW (Ta), 1,2W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-236AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 4,2A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDN352AP | onsemi | 34’080 | FDN352APCT-ND | Fr. 0.59000 | Simile |
| NTR4171PT1G | onsemi | 17’985 | NTR4171PT1GOSCT-ND | Fr. 0.58000 | Simile |
| TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | 60’635 | TSM650P03CXRFGCT-ND | Fr. 0.49000 | Simile |
| XP3P055N | YAGEO XSEMI | 840 | 5048-XP3P055NCT-ND | Fr. 0.26000 | Simile |
In magazzino: 0
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