Name: PMV45EN2VL
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMV45EN2VL-ND
Price: 0.07808 CHF
Availability: OutOfStock

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PMV45EN2VL
Codice DigiKey	PMV45EN2VL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV45EN2VL
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 5,1 A (Ta) 510mW (Ta) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMV45EN2VL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	42mohm a 4,1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	209 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	510mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-236AB
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	PMV45EN2