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PMV55ENEAR | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-PMV55ENEARTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PMV55ENEARCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PMV55ENEARDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | PMV55ENEAR |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 3,1 A (Ta) 478mW (Ta), 8,36W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | PMV55ENEAR Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 646 pF @ 30 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 478mW (Ta), 8,36W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore TO-236AB |
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 3,1 A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2,7V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDN5632N-F085 | onsemi | 4’738 | FDN5632N-F085CT-ND | Fr. 0.86000 | Simile |
| TSM850N06CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | 10’949 | TSM850N06CXRFGCT-ND | Fr. 0.53000 | Simile |
In magazzino: 0
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