
PMXB65ENEZ | |
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Codice DigiKey | 1727-PMXB65ENEZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PMXB65ENEZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PMXB65ENEZDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | PMXB65ENEZ |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 3,2 A (Ta) 400mW (Ta), 8,33W (Tc) A montaggio superficiale DFN1010D-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 67mohm a 3,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 295 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta), 8,33W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DFN1010D-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.58000 | Fr. 0.58 |
| 10 | Fr. 0.35900 | Fr. 3.59 |
| 50 | Fr. 0.26080 | Fr. 13.04 |
| 100 | Fr. 0.22900 | Fr. 22.90 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.12276 | Fr. 613.80 |
| 10’000 | Fr. 0.11251 | Fr. 1’125.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.62698 |







