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NSVBC114EPDXV6T1G
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Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 1 NPN pre-polarizzato, 1 PNP 50V 100mA 230MHz 480mW A montaggio superficiale DFN1412-6
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Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 1 NPN pre-polarizzato, 1 PNP 50V 100mA 230MHz 480mW A montaggio superficiale DFN1412-6
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PRMD3Z

Codice DigiKey
1727-7394-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
1727-7394-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1727-7394-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Nexperia USA Inc.
Codice produttore
PRMD3Z
Descrizione
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN pre-polarizzato, 1 PNP 50V 100mA 230MHz 480mW A montaggio superficiale DFN1412-6
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Categoria
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
150mV a 500µA, 10mA
Produttore
Nexperia USA Inc.
Corrente - Interruzione collettore (max)
1µA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Frequenza - Transizione
230MHz
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Potenza - Max
480mW
Tipo di transistor
1 NPN pre-polarizzato, 1 PNP
Grado
Automobilistico
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Qualifica
AEC-Q101
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Resistore - Base (R1)
10kohm
Contenitore/involucro
6-XFDFN piazzola esposta
Resistore - Base emettitore (R2)
10kohm
Contenitore del fornitore
DFN1412-6
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
30 a 5mA, 5V
Codice componente base
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
NSVBC114EPDXV6T1Gonsemi3’540488-NSVBC114EPDXV6T1GCT-NDFr. 0.32000Simile
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