Name: PSMN1R2-80ASEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND
Price: 7.25351 CHF
Availability: InStock

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PSMN1R2-80ASEJ
Codice DigiKey	1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN1R2-80ASEJCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN1R2-80ASEJDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN1R2-80ASEJ
Descrizione	N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 375A (Ta) 935W (Tc) A montaggio superficiale CCPAK1212
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,6V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 350 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 26187 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 935W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 375A (Ta)	Contenitore del fornitore CCPAK1212
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 12-BESOP (larghezza 0,370", 9,40mm), piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 1,18mohm a 25A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PSMN1R2-80CSEJ	Nexperia USA Inc.	869	1727-PSMN1R2-80CSEJCT-ND	Fr. 6.02000	Equivalente parametrico

In magazzino: 138

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 2.68979	Fr. 2’689.79

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.25351

PSMN1R2-80ASEJ