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PSMN1R5-30BLEJ | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-1101-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1101-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-1101-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | PSMN1R5-30BLEJ |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 120 A (Tc) 401W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,15V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 228 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 14934 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 401W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB8132_F085 | onsemi | 0 | FDB8132_F085TR-ND | Fr. 1.17976 | Simile |
| NP110N03PUG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 0 | NP110N03PUG-E1-AY-ND | Fr. 2.15459 | Simile |
| SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SQM120N03-1M5L_GE3CT-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.11000 | Fr. 4.11 |
| 10 | Fr. 2.72700 | Fr. 27.27 |
| 100 | Fr. 1.94130 | Fr. 194.13 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 1.53125 | Fr. 1’225.00 |
| 1’600 | Fr. 1.43564 | Fr. 2’297.02 |
| 2’400 | Fr. 1.39996 | Fr. 3’359.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.11000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.44291 |




