Name: PSMN1R8-30MLHX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R8-30MLHXTR-ND
Price: 1.9458 CHF
Availability: InStock

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PSMN1R8-30MLHX
Codice DigiKey	1727-PSMN1R8-30MLHXTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN1R8-30MLHXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN1R8-30MLHXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN1R8-30MLHX
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 150 A (Tc) 106W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN1R8-30MLHX Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 58 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3125 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 106W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 150 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK33
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-conduttori)
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1mohm a 25A, 10V	Codice componente base PSMN1R8

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.80000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.94580

PSMN1R8-30MLHX