Name: PSMN2R4-30YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1792-2-ND
Price: 1.38368 CHF
Availability: InStock

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PSMN2R4-30YLDX
Codice DigiKey	1727-1792-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1792-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-1792-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN2R4-30YLDX
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 100 A (Tc) 106W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN2R4-30YLDX Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,4mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	31.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2256 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	106W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Contenitore/involucro	SC-100, SOT-669
Codice componente base	PSMN2R4

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Nastrato in bobina (TR)