PSMN3R9-60PSQ Nexperia USA Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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PSMN3R9-60PSQ
Codice DigiKey	1727-1133-ND
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN3R9-60PSQ
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 130 A (Tc) 263W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN3R9-60PSQ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	130 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,9mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5600 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	263W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	PSMN3R9

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 2.67300	Fr. 26.73
50	Fr. 2.07320	Fr. 103.66
100	Fr. 1.88040	Fr. 188.04

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