Name: PSMN4R2-30MLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1793-2-ND
Price: 1.15667 CHF
Availability: InStock

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PSMN4R2-30MLDX
Codice DigiKey	1727-1793-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1793-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-1793-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN4R2-30MLDX
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 70 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN4R2-30MLDX Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	70 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,3mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	29.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1795 pF @ 15 V
Funzione FET	Diodo Schottky (body)
Dissipazione di potenza (max)	65W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	LFPAK33
Contenitore/involucro	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-conduttori)
Codice componente base	PSMN4R2

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Nastrato in bobina (TR)