FQU2N60CTU è obsoleto e non è più in produzione.

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FQU2N60CTU
Codice DigiKey	FQU2N60CTU-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQU2N60CTU
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 1,9 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Foro passante IPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,7ohm a 950mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	235 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	IPAK
Contenitore/involucro	TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Codice componente base	FQU2N60