FQNL2N50BBU onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FQNL2N50BBU
Codice DigiKey	FQNL2N50BBU-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQNL2N50BBU
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 350mA (Tc) 1,5W (Tc) Foro passante TO-92-3
Modelli EDA/CAD	FQNL2N50BBU Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	350mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,3ohm a 175mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3,7V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	230 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-92-3
Contenitore/involucro	TO-226-3, TO-92-3 corpo lungo, conduttori formati
Codice componente base	FQNL2