Name: A5G35H120NT2
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 568-A5G35H120NT2TR-ND
Price: 53.34953 CHF
Availability: OutOfStock

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A5G35H120NT2
Codice DigiKey	568-A5G35H120NT2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	NXP USA Inc.
Codice produttore	A5G35H120NT2
Descrizione	RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	RF MOSFET 48 V 70 mA 3,3GHz ~ 3,7GHz 14,1dB 18W 10-DFN (7x10)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	A5G35H120NT2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET RF
Produttore	NXP USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	GaN
Configurazione	-
Frequenza	3,3GHz ~ 3,7GHz
Guadagno	14,1dB
Tensione - Test	48 V
Corrente nominale (A)	-
Cifra di rumore	-
Corrente - Test	70 mA
Potenza - Uscita	18W
Tensione - Nominale	125 V
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	10-PowerLDFN
Contenitore del fornitore	10-DFN (7x10)

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Nastrato in bobina (TR)