RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
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RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
5G Wireless Infrastructure for a Connected World

AFT31150NR5

Codice DigiKey
568-13436-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
568-13436-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
NXP USA Inc.
Codice produttore
AFT31150NR5
Descrizione
RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
NXP USA Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
LDMOS
Frequenza
2,7GHz ~ 3,1GHz
Guadagno
17,2dB
Tensione - Test
32 V
Corrente nominale (A)
10µA
Cifra di rumore
-
Corrente - Test
100 mA
Potenza - Uscita
150W
Tensione - Nominale
65 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
OM-780-2
Contenitore del fornitore
OM-780-2
Codice componente base
AFT31150
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 190.56000Fr. 190.56
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
50Fr. 253.84080Fr. 12’692.04
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 190.56000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 205.99536