PMR290UNE,115 NXP USA Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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PMR290UNE,115
Codice DigiKey	568-10319-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	NXP USA Inc.
Codice produttore	PMR290UNE,115
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 700MA SC75
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 700mA (Ta) 250mW (Ta), 770mW (Tc) A montaggio superficiale SC-75

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	NXP USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	700mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	380mohm a 500mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	950mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.68 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	83 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250mW (Ta), 770mW (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-75
Contenitore/involucro	SC-75, SOT-416
Codice componente base	PMR2