BBS3002-DL-1E onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

BBS3002-DL-1E è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

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BBS3002-DL-1E
Codice DigiKey	BBS3002-DL-1EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	BBS3002-DL-1E
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 100 A (Ta) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Modelli EDA/CAD	BBS3002-DL-1E Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,8mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	280 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	13200 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	BBS3002