Canale N 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

FCD260N65S3

Codice DigiKey
488-FCD260N65S3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-FCD260N65S3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-FCD260N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
FCD260N65S3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FCD260N65S3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
SuperFET® III
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
260mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 1,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1010 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
90W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
FCD260
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 2’413
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.08000Fr. 2.08
10Fr. 1.33500Fr. 13.35
100Fr. 0.91210Fr. 91.21
500Fr. 0.73124Fr. 365.62
1’000Fr. 0.67429Fr. 674.29
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.57030Fr. 1’425.75
5’000Fr. 0.55089Fr. 2’754.45
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.08000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.24848
Ti potrebbe anche interessareVedi tutto
3 Articoli
SMCJ15CA-Q

SMCJ15CA-Q

TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB

Bourns Inc.

Fr. 0.21026
S8CJHM3/I

S8CJHM3/I

DIODE STANDARD 600V 8A DO214AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fr. 0.83000
FDD86110

FDD86110

MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK

onsemi

Fr. 3.02000