NTD5867NLT4G è obsoleto e non è più in produzione.
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TO-252-3
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NTD5867NLT4G

Codice DigiKey
NTD5867NLT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
NTD5867NLT4G
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 20 A (Tc) 36W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
39mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
675 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
36W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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