


NTMFD6H852NLT1G | |
|---|---|
cms-digikey-product-number | 488-NTMFD6H852NLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFD6H852NLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFD6H852NLT1GDKR-ND - Digi-Reel® |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | NTMFD6H852NLT1G |
cms-description | MOSFET 2N-CH 80V 0.295A 8DFN |
cms-standard-lead-time | 49 settimane |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | MOSFET - Array 80V 295mA 250mW (Ta) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
cms-category | Carica del gate (Qg) max a Vgs 5nC a 4,5V |
Produttore onsemi | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 26pF a 20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 250mW (Ta) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80V | Contenitore/involucro 8-PowerTDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 295mA | Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio) |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,6ohm a 500mA, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | cms-ext-price |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.70000 | Fr. 1.70 |
| 10 | Fr. 1.08300 | Fr. 10.83 |
| 100 | Fr. 0.73190 | Fr. 73.19 |
| 500 | Fr. 0.58174 | Fr. 290.87 |
| Quantità | Prezzo unitario | cms-ext-price |
|---|---|---|
| 1’500 | Fr. 0.47553 | Fr. 713.29 |
| 3’000 | Fr. 0.44122 | Fr. 1’323.66 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.83770 |

