
1SV267-TB-E | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1SV267-TB-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1SV267-TB-EOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | 1SV267-TB-E |
Descrizione | RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - RF PIN - 1 coppia a connessione in serie 50V 50 mA 150 mW 3-CP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | 1SV267-TB-E Modelli |
Categoria | Capacità a Vr, F 0,23pF a 50V, 1MHz |
Produttore onsemi | Resistenza a If, F 2,5ohm a 10mA, 100MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Dissipazione di potenza (max) 150 mW |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento 125°C (TJ) |
Tipo di diodo PIN - 1 coppia a connessione in serie | Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tensione - Inversa di picco max 50V | Contenitore del fornitore 3-CP |
Corrente - Max 50 mA | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| 1SV264-TL-E | onsemi | 5’330 | 1SV264-TL-EOSCT-ND | Fr. 0.51000 | Consigliato dal produttore |
| BAT1804E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 337 | BAT1804E6327HTSA1CT-ND | Fr. 0.61000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.51000 | Fr. 0.51 |
| 10 | Fr. 0.31500 | Fr. 3.15 |
| 100 | Fr. 0.20180 | Fr. 20.18 |
| 500 | Fr. 0.15252 | Fr. 76.26 |
| 1’000 | Fr. 0.13661 | Fr. 136.61 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.51000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.55131 |

