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2N7002LT1H è obsoleto e non è più in produzione.
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2N7002LT1H | |
|---|---|
Codice DigiKey | 2N7002LT1H-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | 2N7002LT1H |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | 2N7002LT1H Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs (max) ±20V |
Produttore | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 50 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5ohm a 500mA, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002LT1G | onsemi | 186 | 2N7002LT1GOSCT-ND | Fr. 0.19000 | Consigliato dal produttore |
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