2N7002T onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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2N7002T
Codice DigiKey	2N7002TTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2N7002TCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 2N7002TDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	2N7002T
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SC-89-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2N7002T Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	115mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,5ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	50 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-89-3
Contenitore/involucro	SC-89, SOT-490
Codice componente base	2N7002

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10	Fr. 0.21700	Fr. 2.17

Nastrato in bobina (TR)