2SA2012-TD-E è obsoleto e non è più in produzione.
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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 5 A 420MHz 3.5 W A montaggio superficiale PCP
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2SA2012-TD-E

Codice DigiKey
2SA2012-TD-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
2SA2012-TD-E
Descrizione
TRANS PNP 30V 5A PCP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 5 A 420MHz 3.5 W A montaggio superficiale PCP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
2SA2012-TD-E Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
200 a 500mA, 2V
Produttore
Potenza - Max
3.5 W
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
420MHz
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di transistor
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
5 A
Contenitore/involucro
TO-243AA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
30 V
Contenitore del fornitore
PCP
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
210mV a 30mA, 1,5A
Codice componente base
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (10)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
2SA2016-TD-Eonsemi8’9272SA2016-TD-EOSCT-NDFr. 0.98000Consigliato dal produttore
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FZT949TADiodes Incorporated309FZT949CT-NDFr. 1.43000Simile
Obsoleto
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