2SB1122S-TD-E è obsoleto e non è più in produzione.
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onsemi
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Simile


onsemi
In magazzino: 3’046
Prezzo unitario : Fr. 0.49000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


onsemi
In magazzino: 2’764
Prezzo unitario : Fr. 0.60000
Scheda tecnica

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In magazzino: 206
Prezzo unitario : Fr. 1.29000
Scheda tecnica

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In magazzino: 39
Prezzo unitario : Fr. 0.38000
Scheda tecnica

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In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.47000
Scheda tecnica

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Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.07689
Scheda tecnica

Simile


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In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.38000
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Scheda tecnica
2SC3647S-TD-E
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2SB1122S-TD-E

Codice DigiKey
2SB1122S-TD-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
2SB1122S-TD-E
Descrizione
TRANS PNP 50V 1A PCP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 50 V 1 A 150MHz 500 mW A montaggio superficiale PCP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
2SB1122S-TD-E Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo di transistor
Corrente - Collettore (Ic) max
1 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
500mV a 50mA, 500mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
100 a 100mA, 2V
Potenza - Max
500 mW
Frequenza - Transizione
150MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-243AA
Contenitore del fornitore
PCP
Codice componente base
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Obsoleto
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