2SB1122T-TD-E onsemi | Transistor bipolari singoli

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2SB1122T-TD-E
Codice DigiKey	2SB1122T-TD-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2SB1122T-TD-EOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	2SB1122T-TD-E
Descrizione	TRANS PNP 50V 1A PCP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 50 V 1 A 150MHz 500 mW A montaggio superficiale PCP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2SB1122T-TD-E Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 100 a 100mA, 2V
Produttore onsemi	Potenza - Max 500 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Frequenza - Transizione 150MHz
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di transistor PNP	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 1 A	Contenitore/involucro TO-243AA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50 V	Contenitore del fornitore PCP
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 50mA, 500mA	Codice componente base 2SB1122
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO)

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (7)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
2SB1123T-TD-E	onsemi	1’136	488-2SB1123T-TD-ECT-ND	Fr. 0.52000	Diretto
2SB1123S-TD-E	onsemi	1’535	2SB1123S-TD-EOSCT-ND	Fr. 0.74000	Simile
2SAR513P5T100	Rohm Semiconductor	137	2SAR513P5T100CT-ND	Fr. 0.55000	Simile
BCX51-10,115	Nexperia USA Inc.	4	1727-4908-1-ND	Fr. 0.41000	Simile
BCX51-16,115	Nexperia USA Inc.	670	1727-6208-1-ND	Fr. 0.32000	Simile

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 0.16865	Fr. 168.65
2’000	Fr. 0.15271	Fr. 305.42

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.58000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.62698

2SB1122T-TD-E